籽晶诱导、低温液相外延自组装生长氧化锌薄膜的方法 
 

 
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所的王志军、吕有明和申德振等，于2004年5月在中国专利局申请了该专利，并于2005年11月公开发表。

    本发明属于半导体材料技术领域，是籽晶诱导、低温液相外延自组装生长氧化锌薄膜的方法。将等质量的乙酸锌与碳酸氢钠在室温下充分研磨，在 160℃下反应2～4小时，将产物用去离子水清洗并在100℃烘干。利用旋涂技术将1～3％的非晶ZnO乙醇溶液均匀地旋涂在清洗好的衬底上，在180～200 ℃下反应2～4小时。将衬底上晶化生成同一取向的ZnO籽晶，置于1～ 5×10-5m/ml的乙酸锌有机溶液中，在80℃～100℃低温下，生长15～20小时。由于利用非晶—籽晶诱导法和低温液相外延自组装技术，因此，用本发明制备的ZnO晶体薄膜具有质量高、重复性好、可靠性高、成本低、易形成产业化等优点。