日立化成改进CaF2单晶制造技术   
 

 
　　日本日立化成工业2004年7月5日宣布，已经确立了可稳定供应半导体制造使用的光刻镜头（lithography lens）用氟化钙（CaF2）单晶的制造技术。氟化钙对于用来提高半导体制造工艺的镜头是不可缺少的材料。新技术能够以约2倍于原来的效率进行氟化钙生产。

　　随着制造工艺向90nm过渡，半导体光刻的激光光源已由过去的氪氟（KrF）变成氩氟（ArF），波长越来越短。而镜头也必须随之由过去的人造石英，改而采用在真空紫外线区域透过率更好的氟化钙单晶。

　　但是，在氟化钙单晶制造中常用的真空布里奇曼法虽说设备简单，结晶易于大尺寸化，却存在易于多晶化，大尺寸单晶制造难度大等问题。日立化成工业通过运用PET（阳电子放射断层摄影）设备用GSO单晶开发中采用的技术，对真空布里奇曼法进行改进后，解决了上述问题。将过去约50%的成品率提高到了约95%。

　　另外，半导体光刻镜头必须使用2种晶向（crystal orientation）的镜头，但过去很难控制结晶的成长取向，而现在则可以了。由此就能提高生产效率。该公司将于2005年度开始提供大尺寸单晶，预计2007年度的销售额将达30亿日元（约合人民币2.3亿元）。